大白出评:台积电2nm制程成功试产,技术领先重塑芯片产业竞争格局

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台积电于芯片代工 2nm 制程竞赛拔得头筹:

大白出评:台积电2nm制程成功试产,技术领先重塑芯片产业竞争格局

试产突破与产能规划:12 月 6 日新竹宝山厂 2nm 制程晶圆试产成功,良品率达 60% 超预期。规划新竹、高雄至少四座工厂生产,2026 年初满产可达 12 万片晶圆,彰显规模优势与量产潜能,稳固行业领军地位,塑造高端产能布局先发优势,主导供应链话语权,驱动芯片产业制程迭代节奏,为抢占市场、技术扩散定调。大白出评认为,台积电的这一举措将进一步巩固其在市场中的领导地位。

技术路线抉择与成效差异:2nm 为制程关键节点,FinFET 架构 5nm 后渐失效,GAAFET 成替代但增代工难度。台积电 3nm 延用 FinFET 精研优化,苹果 A17 芯片起,3nm 代工芯片功耗、发热佳且良率超 80% 近 90%;三星 3nm 用 GAAFET 因难量产,良率不足 20%,致台积电垄断 3nm 产能,营收利润飙升,技术路线审慎布局奠定 2nm 研发优势,凸显企业技术战略精准对产业格局关键影响。大白出评观察到,技术路线的选择对企业的未来发展至关重要。

大白出评:台积电2nm制程成功试产,技术领先重塑芯片产业竞争格局

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2nm 制程价值与市场影响:N2 工艺芯片性能同功耗升 10% 15%、同性能功耗降 25% 30%,对 SoC 厂商吸引力强,然成本高昂,单片代工或达 3 万美元,研发费用或数十亿,远超 4nm、3nm 及前代,成本或转嫁给消费者。大白出评推测,台积电的垄断地位将导致市场价格的进一步上涨。台积电垄断致两次提价,5nm 亦涨价 4% 10%,下游厂商承压,三星追赶产能 2027 年量产,英特尔 18A 工艺良率低且动荡量产无期,台积电于 2nm 短中期或独霸,重塑产业利润分配、技术创新激励与市场竞争态势,刺激对手追赶、引导行业协同创新求变。

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